离轴涡旋光束弱走离条件下的倍频效应

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利用耦合波截断方程推导了无走离及弱走离条件下离轴涡旋光束经过负单轴晶体后产生倍频光的归一化电场及光强表达式.主要分析了离轴量、弱走离角及晶体长度对于输出倍频光的影响.研究结果表明:不考虑走离效应时,倍频光两暗核重合于轴上点,而具有弱走离效应时,暗核位置沿走离方向有所偏移,并且两重合暗核产生分离,截面上发生分离的方向垂直于存在走离的方向,其中产生的偏移量与离轴量、走离角及晶体长度有关,而分离的距离只与走离角及晶体长度相关.具体表现为:当离轴量增大,倍频光两暗核沿存在离轴方向所产生的偏移增大,而暗核间的分离距
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