【摘 要】
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采用直流磁控溅射法，在硅基片上制备铝薄膜．用扫描电子显微镜（SEM）、X-射线衍射仪（XRD）等对薄膜的表面形貌和结构进行了分析，研究了不同工艺参数对薄膜表面形貌的影响，分析了制备铝薄
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采用直流磁控溅射法，在硅基片上制备铝薄膜．用扫描电子显微镜（SEM）、X-射线衍射仪（XRD）等对薄膜的表面形貌和结构进行了分析，研究了不同工艺参数对薄膜表面形貌的影响，分析了制备铝薄膜的影响因素．分析结果表明该薄膜为纯铝薄膜，并且晶粒很小．实验得到制备铝薄膜的工艺参数为：本底真空度4．0×10^-4Pa、工作真空度1．7Pa、氩气流量20cm^3／s、工作电压300V、工作电流1A．
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