【摘 要】
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TiO2陶瓷在射频溅射过程中表面成分发生改变,变化后的陶瓷表面具有良好的导电性,可作为靶材采用直流溅射法在玻璃基片上制备TiO2薄膜,发现当工作气体中不通O2时溅射得到的TiO
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TiO2陶瓷在射频溅射过程中表面成分发生改变,变化后的陶瓷表面具有良好的导电性,可作为靶材采用直流溅射法在玻璃基片上制备TiO2薄膜,发现当工作气体中不通O2时溅射得到的TiO2薄膜由于氧缺位呈N型导电,而当预先在玻璃衬底上沉积一层金属Ti时TiO2薄膜的导电类型发生了转变,由N型导电转向P型导电,该文对这一现象进行了研究,并讨论了钛层厚度和真空退火条件对薄膜P型导电性质的影响.
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