【摘 要】
：
在铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,由于工艺和材料等因素会产生划伤和沾污等缺陷问题,造成器件失效、良率降低及潜在可靠性等问题.研究了抛光液中活性剂及超滤工艺对CMP后缺陷的影响,提出了活性剂和超滤协同控制CMP后缺陷的作用机理.通过粒径和大颗粒测试仪表征抛光液粒径和大颗粒数的变化,通过扫描电子显微镜(SEM)和接触角测试仪表征抛光液的变化.通过缺陷检测仪测试验证CMP后缺陷情况.实验结果表明,加入活性剂在未超滤的情况下,抛光液平均粒径从66.1 nm降为65.3 nm,粒径分布更加集中,缺陷总数从
【机 构】
：
河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130;河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室, 天津
论文部分内容阅读
在铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,由于工艺和材料等因素会产生划伤和沾污等缺陷问题,造成器件失效、良率降低及潜在可靠性等问题.研究了抛光液中活性剂及超滤工艺对CMP后缺陷的影响,提出了活性剂和超滤协同控制CMP后缺陷的作用机理.通过粒径和大颗粒测试仪表征抛光液粒径和大颗粒数的变化,通过扫描电子显微镜(SEM)和接触角测试仪表征抛光液的变化.通过缺陷检测仪测试验证CMP后缺陷情况.实验结果表明,加入活性剂在未超滤的情况下,抛光液平均粒径从66.1 nm降为65.3 nm,粒径分布更加集中,缺陷总数从4251降低至1480.在此基础上通过研究不同超滤工艺对缺陷的影响,结果显示,在5μm+1μm二级超滤系统下,抛光液大颗粒数量从34.25万颗/mL减少到26.12万颗/mL,经图形片验证,缺陷总数和各缺陷占比显著降低,对于提高电路性能和产品良率有着重要意义.
其他文献
为应对未来射电天文发展对超过十倍频程带宽接收性能的需求,实现厘米波多波段同时观测,使用法国OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究并设计一款工作频率为0.3～8 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片.放大器电路采用三级级联放大结构,双电源供电,芯片尺寸为2000μm×1000μm.仿真结果显示,常温下芯片在整个工作频段内增益大于40 dB,噪声温度优于65 K,在8 GHz处达到最低噪声51.4 K,无条件稳定.该芯片工作频率覆盖P,L,S,C,X五个传统天文观测频段,适用于厘米波段的
采用微波辅助烧结法在空气气氛中以1100℃烧结20 min制备出不同Al2 O3掺杂量(摩尔分数0％～6％)的ZnO陶瓷.通过XRD、SEM、霍尔实验、UV-Vis光谱、Raman光谱、PL光谱的表征,研究了Al2 O3掺杂量的变化对微波辅助烧结ZnO陶瓷的物相结构、微观组织、电学性能、光学性能的影响.实验结果表明,Al2 O3掺杂并没有改变ZnO陶瓷的六方纤锌矿结构,随着Al2 O3掺杂量的增加,在ZnO晶界处逐渐形成ZnAl2 O4尖晶石相,ZnO晶粒尺寸逐渐减小;微波辅助烧结所制备ZnO陶瓷的室温电
在电子设备中广泛应用的玻封二极管属于机械应力敏感器件,异常的封装烧结工艺或过大的安装应力都可能导致玻壳发生开裂失效.通过对一例玻封二极管玻壳开裂失效的问题进行分析,发现杜美丝表面氧化层裂纹缺陷会导致玻壳烧结界面局部产生较大内应力,烧结后冷却速率过快,就会导致这些较大的内应力无法充分释放,产生残余应力,较大的残余应力会造成玻壳在使用中开裂.最后提出了完善工艺参数的措施.
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件.该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数.仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12％,FOM值提升了5.1％.提出了形成台阶的一种可行性方案,并给出了实验结果,SEM结果表明,可以通过侧墙生长加湿法腐蚀的方法形成形貌良好的台阶.
基于InGap/GaAs HBT工艺设计了一款宽带无源双平衡混频器,针对双平衡混频器射频中频交叠及射频到中频端口隔离度差的问题,采用了双混频环+新型滤波补偿网络的结构,不仅提高了隔离度和线性度,同时扩宽了带宽,改善了混频器整体性能.射频、本振频率为1.5～5.0 GHz,射频功率为-10 dBm,本振功率为13 dBm,中频频率为DC～1.5 GHz.仿真结果表明,变频损耗(Conversion Loss)为7 dB,本振与射频信号隔离度(Iso_LO/RF)为44 dB,本振与中频信号隔离度(Iso_L
为了更好地满足无线通信系统对微波电路双频/多频段的需求,基于微带-槽线双层结构设计了一款应用于S波段的双频滤波功分器.首先,在单个半波长微带谐振器基础上,利用枝节加载技术设计一款双模谐振器,实现双频带通滤波器设计,并将该滤波器与Wilkinson功分器进行集成,实现双频滤波功分器设计;其次,利用微带线和槽线的对偶关系,在不增加电路尺寸的基础上,引入双模槽线谐振器与微带谐振器进行垂直级联,从而展宽滤波功分器的两个通带带宽;最后利用枝节加载技术优化馈电网络.由于双模微带-槽线谐振器和馈电网络自身的特性,在每个
本文首先分析了我国电子衡器的发展现状,然后通过调研发现,我国电子衡器现阶段应用中可能会出现原材料不达标引起的一系列问题、电子衡器制造阶段考虑不全面或生产环境达不到要求所引起的问题,并提出了解决方案.最后就未来电子衡器制造业在5G技术、人工智能和自主化芯片发展的背景下,电子衡器的数字化、智能化改造升级,提出了展望.
简述了双电层超级电容器的特点与经济型超级电容器的制造特点,提出了超级电容器存在的问题:如可靠性、早期失效,自放电率比较高,放电过程电压跌落比较大,能量密度低等问题.通过综合比较超级电容器与动力锂电池、低温型动力锂电池、钛酸锂电池性能以及价格等因素,可知超级电容器不再适合于新型能源领域应用,超级电容器的传统应用领域将逐渐地被钛酸锂电池取代.
为了探究温度和空位浓度对Cu3 Sn层中各元素扩散行为的影响,基于分子动力学方法,使用LAMMPS软件模拟了Cu3 Sn层上空位浓度以及温度对各元素扩散系数的影响.结果表明,Cu3 Sn层各元素的扩散系数均随温度的升高而增大.与不含空位相比,当Cu3 Sn层中存在10％空位时,原子运动更加剧烈,扩散系数增大.进一步研究发现,在一定的温度下(900 K),空位含量增大,扩散系数随之增大.然而,空位含量变化不如温度对扩散系数的影响大.最后,在相同条件下,Cu1和Cu2原子的扩散系数相差不大,且均大于Sn的扩散
基于大数据背景下,电子通信技术发展面临着各种契机.在社会经济、科学技术高速发展与创新的时代下,信息通信技术被广泛地运用到各种领域中,如工业、航海业、航空业、计算机领域及无线局域网等等,为人们的生活与工作带来极大便利.在信息时代背景下,大数据已然成为未来发展的重要趋势,电子通信技术的理念、思维、技术等方面得到了创新.电子通信技术作为电子信息技术的分支,在有关领域中获得了重大的突破,在科研人员的深入研究下,其核心技术有了全新的突破.