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这一研究工作模拟计算了Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的擦写和存储时间特性。结果表明，Ge/Si复合纳米结构存储器在低压下即可实现μs和ns量级编程。与Si纳米结构存储器相比，由于Ge/Si复合势阱的作用，器件的电荷保留时间提高了3～5个量级，有效地解决了快速擦写编程与长久存储之间的矛盾，使器件的性能得到明显改善。