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用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较，分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化，并讨论了光伏谱峰强度的温度关系。
InGaAs／GaAs应变量子阱的低温光伏谱
【摘 要】
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用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较，分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化，并讨论了光伏谱峰强度的温度关系。
【机 构】
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厦门大学物理系
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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1997年5期
【基金项目】
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国家自然科学资金,福建省自然科学基金
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