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多晶硅铸锭生长过程的微晶、位错、隐裂等缺陷严重影响铸锭得料率,通过对多晶硅铸锭过程的研究,分析了控温偶温度、隔热笼提升高度对铸锭工艺的影响.结果表明,对控温偶温度及隔热笼提升高度的优化可以明显消除微晶,改善位错、隐裂等缺陷,显著提高铸锭得料率.
多晶硅铸锭工艺的优化与分析
【摘 要】
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多晶硅铸锭生长过程的微晶、位错、隐裂等缺陷严重影响铸锭得料率,通过对多晶硅铸锭过程的研究,分析了控温偶温度、隔热笼提升高度对铸锭工艺的影响.结果表明,对控温偶温度及
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2015年7期
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