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期刊论文
SOI定向耦合器研制
SOI定向耦合器研制
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:baobeizhu66
【摘 要】
:
本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法,在硅片直接键合后背面抛光减薄的SOI材料上,通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法,成功地研制出SOI定向耦合器,在波长为1.3μm时,其平均插入损耗为
【作 者】
:
赵策洲
李国正
【机 构】
:
西安交通大学电子工程系
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1995年12期
【关键词】
:
定向耦合器
SOI
耦合器
Electric insulatorsFabricationWaveguide couplers
【基金项目】
:
国家“863”基金,国家教委博士点基金
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本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法,在硅片直接键合后背面抛光减薄的SOI材料上,通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法,成功地研制出SOI定向耦合器,在波长为1.3μm时,其平均插入损耗为4.8dB,平均串音小于-18.6dB。
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