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将磺化酞菁钴配合物封装于Y型分子筛中，制备成分子筛改性电极．通过循环伏安法测试，得到磺化酞菁钴／Y复合材料修饰电极的电化学行为主要出现在-．67V，-0．27V和0．55V三个电位附近，这反映了配合物中不同价态的钴离子之间以及金属钴和配体之间共有三种不同的氧化还原行为；磺化酞菁钴分子在Y型分子筛空腔中其电化学活性仍然存在，但其氧化还原峰电位因受到分子筛结构、骨架效应的影响而发生偏移；封装在Y型分子筛中的CoPc（SO3）4，由于受到分子筛空间效应的影响，平面结构发生扭曲．