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InP量子点是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料,由于其在禁带宽度、电子迁移率等方面的独特性能而受到广泛关注.研究人员通过控制反应条件、表面修饰以及进行掺杂等对InP材料的性能进行调控,使之更广泛地应用于通信、材料、传感、能源及照明等领域.
一种新型的多用途发光量子点——InP
【摘 要】
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InP量子点是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料,由于其在禁带宽度、电子迁移率等方面的独特性能而受到广泛关注.研究人员通过控制反应条件、表面修饰以及进行掺杂等对InP材料
【机 构】
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河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室
【出 处】
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物理通报
【发表日期】
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2017年10期
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