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在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂浓度,HALO区占沟道比例的条件下的阈值电压.模型结果与二维数值模拟软件MEDICI的模拟结果较好的吻合,该模型对HALO结构的物理特性和工艺设计有很好的指导意义.
非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型
【摘 要】
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在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂浓度,HALO区占沟道比例的条件下的阈值电压.
【机 构】
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江南大学信息工程学院,中国科学院微电子研究所,江南大学信息工程学院江苏无锡,江苏无锡
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2007年6期
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