基于全耗尽SOI CMOS工艺，建立了具有SiGe沟道的SOI MOS器件结构模型，并利用ISE TCAD器件模拟软件，对SiGe SOl CMOS的电学特性进行模拟......

一台新奇设备，由在充分弄空的 SOI 电影上制作的透明电极(LPIN PD-GTE ) 的侧面的大头针光电二极管 gated 被建议。ITO 电影作为门......

在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂......

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2薄膜．X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示......

提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阚值电压二维解析模型．通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数，氧化层-硅界面处的......

在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上，对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论．通过与一维模型的比较，......

提出了一个全耗尽SOlMOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型．基于近似的抛物线电势分布模型，利用适当的边界条件对二维的泊松方程......

提出了一种简化的全耗尽SOIMOSFET闽值电压解析模型。该模型物理意义明确，形式简单，不需要非常复杂的计算。通过在不同条件下将本文......

研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非......