【摘 要】
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采用直流反应磁控溅射法,在不同O2/Ar分压比（1∶3、1∶4）,不同溅射功率密度（24、40、48W/cm2）及不同热处理温度（400、800℃）条件下制备出ZnO晶种层,研究O2/Ar分压比、溅射功率及热
【机 构】
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兰州理工大学甘肃省有色金属新材料重点实验室
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采用直流反应磁控溅射法,在不同O2/Ar分压比（1∶3、1∶4）,不同溅射功率密度（24、40、48W/cm2）及不同热处理温度（400、800℃）条件下制备出ZnO晶种层,研究O2/Ar分压比、溅射功率及热处理的最佳工艺,对制备的晶种层微观形貌和结构进行SEM、AFM、XRD表征,分析磁控溅射相关工艺参数对预制ZnO晶种层的影响机理,发现在O2/Ar分压比为1∶4,溅射功率密度为40W/cm2及800℃热处理条件下制备的ZnO晶种层质量最优.
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