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研究了ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的电子喇曼散射。根据晶格动力论。讨论了Ⅲ－Ⅴ合金半导体的ＤＸ中心物理起因。结果表明在ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中存在施主双稳态特性，在低温下，光感应的施主亚稳态是平常的类氢能级，此浅施主态引起了间接带隙ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的电子喇曼散射和束缚声子以及直接带隙ｍ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的低温持续光电导。当温度升高时，该类氢能级的电子退回到稳定的ＤＸ中心的深能态。