电子喇曼散射相关论文
观测到n-Ga1-xAlxAs的束缚声子和电子喇曼散射,对n-Ga1-xAlxAs进行喇曼散射实验,揭示了在低温光照条件和组分超过某临辊的合半导体存在着有效质量的浅施主能级......
研究了n-Ga1-xAlxAs的电子喇曼散射。根据晶格动力论。讨论了Ⅲ-Ⅴ合金半导体的DX中心物理起因。结果表明在n-Ga1-xAlxAs中存在施主双稳态特性,在低温下,光感应的......