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一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件
一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xdz429
【摘 要】
:
为了克服传统SOI器件的浮体效应和自热效应,采用创新的工艺方法将低剂量局域SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合,实现了DSOI结构的器件。测试结果表明,该器件消除了传统SOI器件的浮
【作 者】
:
何平
江波
林曦
刘理天
田立林
李志坚
董业明
陈猛
王曦
【机 构】
:
清华大学微电子学研究所,中国科学院上海冶金研究所离子束实验室
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2003年6期
【关键词】
:
DSOI
SOI
局域注氧技术
自热效应
热阻
SIMOXMOS devicessilicon on insulator technologyfloating-
【基金项目】
:
国家自然科学基金 (批准号 :5 9995 5 5 0 -1),,国家重点基础研究专项经费 (编号 :G2 0 0 0 0 365 0 1)资助项目~~
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为了克服传统SOI器件的浮体效应和自热效应,采用创新的工艺方法将低剂量局域SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合,实现了DSOI结构的器件。测试结果表明,该器件消除了传统SOI器件的浮体效应,同时自热效应得到很大的改善,提高了可靠性和稳定性,而原先SOI器件具备的优点得到了保留。
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