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用德拜照相法,对可能利用的衍射数据采用不同的方法进行处理,得到Si的点阵参数值为5.4309±0.0001(?)(在26℃±1℃下)。
Debye photographic method was used to treat the possible diffraction data using different methods. The lattice parameter of Si was 5.4309 ± 0.0001 (?) At 26 ℃ ± 1 ℃.