为实现纳秒级的输出光脉宽，使用GaN HEMT作为激光器放电回路的开关管。由于GaN HMET的栅极总电荷小，提出使用小尺寸的GaN HEMT建立驱动电路的输入级，响应控制信号，控制放电回路开关管。搭建电路驱动860 nm激光器，并进行测试。放电回路电源电压为12 V，测试结果显示，最大输出光脉宽8.8 ns对应大于8 W的峰值功率，输出最小光脉宽为4 ns。为实现更大的脉宽可调范围，设计另一款电路并测试。该电路实现输出光脉宽大于8.4 ns可调，在电源电压20 V、输入信号脉宽100 ns的条件下，输出光峰值功率可达46 W。电路尺寸分别为10 mm×6 mm和13 mm×11 mm，为实现进一步小型化，对设计的电路提出了集成方法。提出的电路结构简单、容易实现集成且成本低，为窄脉冲激光器驱动电路的设计提供了新的思路。