【摘 要】
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文章设计了一种用于电池供电设备中的全片上集成低压差稳压器(low-dropout regulator,LDO)芯片,其设计采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide sem
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61674049),安徽省科技重大专项资助项目(16030901007),安徽省科技攻关计划资助项目(1501021037),安徽省大学生创新创业训练计划资助项目(2017CXCYS167)
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文章设计了一种用于电池供电设备中的全片上集成低压差稳压器(low-dropout regulator,LDO)芯片,其设计采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,为了保证电路具有好的静态性能,使用单级高增益折叠共源共栅放大器作为误差放大器,并设计了一个简单的比较补偿电路来改善LDO的瞬态性能。仿真结果表明:当负载电流在0.5μs内发生跳变时,其建立时间在2.0μs以内;线性调整率和负载调整率分别为0.0
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