【摘 要】
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用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe/Cd0.65Zn0.35Se超晶格结构.利用X射线衍射(XRD)、77 K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe/CdZnSe超晶格结构
【机 构】
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北方交通大学光电子技术研究所信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044香港科学技术大学物理系,香港;
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用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe/Cd0.65Zn0.35Se超晶格结构.利用X射线衍射(XRD)、77 K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe/CdZnSe超晶格结构和激光复合特性,在该材料中观测到激子激子散射发射峰,变密度激发光致发光光谱和变温度光致发光光谱证实了这一现象.激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽,低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的,高温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的,光致发光的强度随着温度的升高而降低,这主要是由激子的热离化造成的,也就是说,热激发使得电子或空穴由阱中跃迁至垒上.
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