【摘 要】
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本文研制了两种引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容,其一是作为辅助介质引入的,其二是为了改善Si/Si_3N_4界面而引入的,文章报导了这两种电容的研制工艺及样品的各种性能,其结果
【机 构】
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成都电子科技大学,成都电子科技大学,成都电子科技大学,峨嵋半导体材料研究所
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本文研制了两种引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容,其一是作为辅助介质引入的,其二是为了改善Si/Si_3N_4界面而引入的,文章报导了这两种电容的研制工艺及样品的各种性能,其结果表明,这类电容有希望应用于厚薄膜集成电路。
In this paper, two kinds of silicon nitride chip capacitors with a-Si: H material have been developed. One is introduced as an auxiliary medium and the other is introduced to improve the Si / Si_3N_4 interface. The article reports the development of these two capacitors Process and sample performance, the results show that this type of capacitor is promising for thick film integrated circuits.
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