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EUV掩膜版的等离子刻蚀法
EUV掩膜版的等离子刻蚀法
来源 :电子工业专用设备 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aq13
【摘 要】
:
随着集成电路制造技术的进步,尽管CD已经接近物理和理论极限,其继续减小的趋势依旧延续着。无论如何,目前的光刻技术将在未来的几年之内达到极限,下一代使用更短波长的光刻技
【出 处】
:
电子工业专用设备
【发表日期】
:
2010年10期
【关键词】
:
刻蚀法
等离子
掩膜版
EUV
理论极限
光刻技术
制造技术
集成电路
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随着集成电路制造技术的进步,尽管CD已经接近物理和理论极限,其继续减小的趋势依旧延续着。无论如何,目前的光刻技术将在未来的几年之内达到极限,下一代使用更短波长的光刻技术即将进入人们的视线。
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