【摘 要】
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We investigate the band structure of a compressively strained In(Ga)As/In 0.53 Ga 0.47 As quantum well (QW) on an InP substrate using the eight-band k · p theo
【机 构】
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Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sci
【出 处】
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Chinese Physics B
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We investigate the band structure of a compressively strained In(Ga)As/In 0.53 Ga 0.47 As quantum well (QW) on an InP substrate using the eight-band k · p theory.Aiming at the emission wavelength around 2.33 μm,we discuss the influences of temperature,strain and well width on the band structure and on the emission wavelength of the QW.The wavelength increases with the increase of temperature,strain and well width.Furthermore,we design an InAs /In 0.53 Ga 0.47 As QW with a well width of 4.1 nm emitting at 2.33 μm by optimizing the strain and the well width.
We investigate the band structure of a compressively strained In (Ga) As / In 0.53 Ga 0.47 As quantum well (QW) on an InP substrate using the eight-band k · p theory. Aiming at the emission wavelength around 2.33 μm, we discuss the influences of temperature, strain and well width on the band structure and on the emission wavelength of the QW. The wavelength increases with the increase of temperature, strain and well width. Morerther, we design an InAs / In 0.53 Ga 0.47 As QW with a well width of 4.1 nm emitted at 2.33 μm by optimizing the strain and the well width.
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