【摘 要】
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结合透射电镜与原子力显微镜实验,用双晶X射线衍射方法分析了Ge/Si多层纳米岛材料.衍射的卫星峰可以被分解为两个洛仑兹峰,它们分别源于材料的浸润层区和纳米岛区.利用透射电
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家
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结合透射电镜与原子力显微镜实验,用双晶X射线衍射方法分析了Ge/Si多层纳米岛材料.衍射的卫星峰可以被分解为两个洛仑兹峰,它们分别源于材料的浸润层区和纳米岛区.利用透射电镜得到Si和SiGe层的厚度比,估算出浸润层区与岛区的Ge组分分别为0·51和0·67.这是一种简单估算Ge/Si多层纳米岛材料中Ge组分的方法.
Combined with TEM and AFM experiments, the Ge / Si multilayered nano-island material was analyzed by dual-crystal X-ray diffraction method.The diffracted satellite peak can be decomposed into two Lorentz peaks, which originate from the wetting layer of the material And nano-island region.The thickness ratio of Si and SiGe layers was obtained by transmission electron microscopy, and the Ge composition of the infiltrated layer region and the island region was estimated to be 0.51 and 0.67, respectively, which is a simple estimate of Ge / Si multilayer Method of Ge component in nano-island material.
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