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ＳｉＯ２膜表面电是影响其驻极性能的主要因素之一。本文采用气相反应法对其表面进行化学处理。经处理后的栅控高温电晕注极表明：１１５ｄ之内ＳｉＯ２膜的表面电位衰减小于或等于６％。本文通过对不同晶向的ＳｉＯ２膜对比研究发现：Ｐ（１００）基片上生长的ＳｉＯ２膜驻极性能优于Ｐ（１１１）。根据实验结果，我们讨论了影响ＳｉＯ２膜驻极性能的机制。