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提出了局域寿命控制下的NPT-IGBT稳态模型，通过与二维器件数值仿真比较，表明模型结果和仿真结果能较好地吻合，基于该模型，详细地分析了局域寿命区的参数对器件正向特性的影响，通过对基区空穴浓度的分析，澄清了长期以来对于最优局域低寿命区位置的不同看法，将各种结论统一起来。
局域寿命控制NPT-IGBTs稳态模型
【摘 要】
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提出了局域寿命控制下的NPT-IGBT稳态模型，通过与二维器件数值仿真比较，表明模型结果和仿真结果能较好地吻合，基于该模型，详细地分析了局域寿命区的参数对器件正向特性的影响，通过
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年5期
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