纳米晶粒Ag—TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性

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以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜,在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为40 nm左右,粗糙度也为纳米量级。同时在大气及室温条件下,在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态,作用点的直径约为70 nm。
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