X射线光电子谱相关论文
CdTe/CdS异质结是CdTe电池光电转换的核心部分。X射线光电子谱(XPS)是研究材料界面成分分布、能带结构的有力工具。我们使用化学水......
采用双通道气路转换法测量了铬锆铜材料的出气率.对经过150℃、保温24 h烘烤的铬锆铜,测得的出气率为2.89×10-10 Pa·L·s-1· cm......
利用X射线衍射(XRD)及X射线光电子谱(XPS)对采用平面流铸法制备的Fe78Si9B13非晶带材进行了分析,研究结果表明:当只有熔潭前端被CO......
采用提拉法生长了掺Ce的同成分LiNbO3(Ce:CLN)晶体。X射线粉末衍射表明,掺杂并不影响晶体结构,其空间群为R3c。采用X射线荧光光谱......
采用直流辉光放电辅助脉冲激光沉积(PLD)法,以不同的激光通量在单晶硅基底上沉积CNx薄膜。利用扫描电镜(SEM)、拉曼光谱、X射线衍......
用 ATR-FT-IR和 XPS研究了聚氨酯脲以及聚二甲基硅氧烷 (PDMS)改性聚氨酯脲的表面组成和结构 ,发现与空气接触面和与模板接触面含......
PHI-5300X射线光电子能谱仪(简称XPS),是美国珀金-埃尔默公司(P-E)的产品,清华大学分析中心于1984年12月引进,并于1985年12月正式......
报道了一种不同尺寸多孔六边形α-Fe2O3纳米颗粒的简单、高产合成方法。对所合成的多孔纳米材料进行了X射线衍射、X射线光电子谱、......
研究X射线及超高真空退火对发光多孔硅膜(PSL)发光特性的影响。通过光电子谱原位检测分析,发现X射线辐照及其空退火均可使发光多孔硅......
采用 X 射线光电子谱( X P S) 分析300 ~500‘ C 等离子体源离子渗氮硼和碳化硼薄膜合成的氮化硼和硼碳氮薄膜利用合成薄膜成分可控的特点, 研究......
利用角度分辨X射线光电子谱方法(AXPS)研究MoS2固体润滑材料氧化表面的化学状态,同时,用电子自旋共振(ESR)法发现氧化物存在未成对电子Mo......
采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同激光通量下烧蚀CNx靶,在单晶硅基底上沉积CNx薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X......
对未知粉末样品进行了X射线光电子谱(XPS)分析。利用振激峰可以反映元素化学状态的特点,判断铜的氯化物的价态。实验结果证明,样品中的......
利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的 PtSi/ p-Si异质薄膜,采用X射线光电子讲(XPS)测试其芯能级和价电子能谱.结果表明,其相形成由表面到界面为Pt,Pt_2Si,PtSi,......
本文用俄歇电子谱仪和X射线光电子谱仪研究了氧化物阴极在分解激活过程中表面、基底和涂层交界面的化学成分、化学态以及基底中的......
实验为研制不同的界面层来构成MIS结构,制作了若干InSb(?)样品用以代表不同工艺阶段。经标准的清洗后得到了具有天然氧化层的样品......
研究了Cr对低合金耐蚀钢筋在饱和Ca(OH)_2混凝土模拟液中耐蚀性能的影响机制,为低合金耐蚀钢筋的研发提供理论上的依据。周期浸润......
采用高温固相法制备(Sr1-xMex)195SiO4:0.05Eu系列荧光粉,研究不同大(Ba2+)、小(Mg2+)半径离子基体固溶对其物相、发光中心配位结......
本论文采用对向靶直流磁控溅射法制备了系列碳氮薄膜和掺Ni碳氮薄膜,并对它们进行了退火处理。利用原子力显微镜、X射线光电子谱、......
本文以实现对浮法玻璃表面锡元素的全面检测为目的,在对国内外浮法玻璃生产现状综合分析的基础上,取5 mm浮法玻璃原片作为试验样品......
玻璃材料的光敏性是指某些玻璃材料受紫外光照射后其折射率会发生永久性改变.利用玻璃材料的光敏性可以方便地制作光纤光栅及平面......
电子型铜氧化合物高温超导体RE2-xCexCuO4±δ(RE=Nd,Sm,Pr,La),单纯的Ce掺杂并不能引起超导,超导只有在对样品经过合适的退火处理后才......
报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果 .采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时 ,首先......
采用脉冲激光烧蚀氮化碳薄膜靶,在室温至450℃基片温度下制备了CNx薄膜.利用扫描电镜、X射线衍射仪、X射线光电子谱仪和拉曼光谱仪......
不同H2气氛中通过RF磁控溅射在石英衬底上制备Li-W共掺杂ZnO(LWZO)薄膜.对样品进行X射线衍射、扫描电镜(SEM)、X射线光电子(XPS)、......
利用低能电子衍射、同步辐射光电子能谱和X射线光电子谱原位、系统地研究Ru(0001)单晶表面外延生长CeO2(111)薄膜表面形貌、电子结......
采用射频磁控溅射法在不同氧气流量条件下制备了非晶InGaZnO (a-IGZO)薄膜.利用霍尔效应,X射线光电子能谱(XPS)和光透过率谱研究了......
在p型GaN(0001)光电阴极的化学腐蚀和高温热清洗的处理过程中,为了评价化学处理和热清洗的效果,利用X射线光电子谱分析了不同阶段......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在不同衬底温度(常温、50、100、150、200C)下制备了碳氮(CNx)薄膜,并对其形貌、结构及光学......
研究了采用高频 Plasma CVD技术在较低温度下 (30 0— 40 0℃ )生长以 Ga N为基的 - 族氮化物的可行性 ,在蓝宝石衬底上生长了 G......
利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的PtSi/P-Si异质薄膜,采用X射线光电子谱(XPS)测试其芯能级和价电子能谱.结果表明,其相形成......
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随......
通过射频反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备N掺杂的Cu2O薄膜,采用X射线衍射、分光光度计、X射线光电子能谱和霍尔效应等检测,研究......
将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的最佳条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用x射线衍射(XRD)......
报道了采用等离子体辅助分子束外延方法(P-MBE),利用NO作为N源和O源,在c-面蓝宝石(c-Al2O3)衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜.X射线衍......
采用元素分析、X射线光电子谱 (XPS) 以及直流电导率σdc(T) 与温度关系等方法对三种聚苯胺PANI-HCl,PANI-H2SO4 和PANI-H3PO4进行......
本文利用空心阴极离子镀膜技术制备了纯Cr膜(基底为硅片),利用XPS分析技术,得出在Cr膜表面存在一层氧化层,并测出了其厚度。......
本文用原子力显微镜(AFM),研究常用固化模具材料玻璃、有机玻璃(PMMA)和塑料制作的PDMS盖片的表面特性。并用XPS分析PDMS表面的化学组成......
研究了MeV碳离子及碳团簇C2^+注入的聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)膜。光吸收谱研究结果表明,离子注入在聚合物近表面产生了断键及缺陷,改......
报道了采用等离子体辅助分子束外延方法(P-MBE),利用NO作为N源和O源,在c-面蓝宝石(c—Al2O3)衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜。X射线衍射谱......
使用X射线光电子能谱(XPS)全元素扫描分析方法对镀锡钢板铬酸盐钝化膜的成分进行了分析研究.结果表明,组成钝化膜的主要元素为Cr,O,Sn和C......
用原子力显微镜(AFM)研究了LiBq4/ITO样品表面形貌,结果表明LiBq4层中存在很多裂缝和空隙.用X射线光电子谱(XPS)研究样品表面和界......
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在C面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理......
Objective To comparatively investigate the inorganic composition and crystallographic properties of cortical and cancell......
用脉冲激光沉积法制备CNx靶材在氮气中进行烧蚀,在不同靶基距下制备了CNx薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子谱(XPS)和 Raman光......