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IGBT 3用的挖槽与场截止相协调的工艺已成功地导入欧洲电力半导体公司(eupec GmbH)的600V、1200V和1700VIGBT产品型谱.现今这种工艺适合于3 300VIGBT应用的特殊需求.
用挖槽和场截止工艺的第三代3300V IGBT模块
【摘 要】
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IGBT 3用的挖槽与场截止相协调的工艺已成功地导入欧洲电力半导体公司(eupec GmbH)的600V、1200V和1700VIGBT产品型谱.现今这种工艺适合于3 300VIGBT应用的特殊需求.
【出 处】
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变流技术与电力牵引
【发表日期】
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2005年4期
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