挖槽工艺相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

挖槽工艺相关论文

用挖槽和场截止工艺的第三代3300V IGBT模块

IGBT 3用的挖槽与场截止相协调的工艺已成功地导入欧洲电力半导体公司(eupec GmbH)的600V、1200V和1700VIGBT产品型谱.现今这种工......

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双极性晶体管第三代3300V IGBT模块挖槽工艺场截止工艺

挖槽工艺在我国晶闸管制造历史上的作用

本刊上期介绍了晶闸管制造的前十年，是一定要用大量黄金的。照此下去，电力电子势必成为国民经济的耗金大户；而且这种“扩散一合金工艺......

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晶闸管挖槽工艺二氧化硅膜扩散工艺 P-N-P结构

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