单一相Ca2Si膜选择性生长

来源 :黑龙江大学自然科学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xpzcz1993
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磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜.随后,600℃分别真空退火5、6、8、10和12 h.使用XRD、EDAX和FT-IR对结果膜的结构和表面进行了测试.沉积膜的原子与衬底之间利用固相间相互扩散反应从多相共生的Ca-Si系统选择性的生长出单一相的Ca2Si膜.并且确定了沉积膜的结构、退火温度和退火时间是单一相硅化物选择性生长的关因素.
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