Ca2Si相关论文
基于第一性原理计算了稀土元素La、Y分别掺杂和共掺杂Ca2Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。计算结果表明, La单掺杂......
磁控溅射系统在恒定Ar气压和Ar气流流量下,使用不同射频溅射功率在Si(100)衬底上分别沉积Ca薄膜;随后,800℃真空退火1 h.立方相的C......
磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜.随后,600℃分别真空退火5、......
使用射频磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,在Si(100)衬底上,分别沉积不同厚度的Ca膜。随后,800℃真空退火45分......
Development of the nano-electronics requires materials with both high carrier mobility and a sufficiently large electron......
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对块体及掺Sc的正交相Ca2Si的电子结构和光学性质进行了系统计算.计算结果......
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法，对环境半导体光电子材料Ca2Si和Ca2Sn的块体、硅基外延生长及应力作用下的电......
采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似（GGA）,对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正......
概述了Ca2Si的基本性质、制备工艺和应用，阐述了Ca2Si的研究进展及其制备，指出了存在的问题以及今后的研究方向．......
采用基于密度泛函理论第一性原理超软赝势平面波方法系统计算了Ca2Si及P掺杂Ca2Si的电子结构、光学性质，分析了P掺杂对Ca2Si的能带......
磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si（100）衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜。随后,600℃分别真空退火5、6......
使用射频磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,在Si（100）衬底上,分别沉积不同厚度的Ca膜。随后,800℃真空退火45分钟......
运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算，结果表明，Ca2Si材料为直接带隙类型材料，计算值比实验测量值小．Ca2S......
磁控溅射系统在恒定Ar气压和Ar气流流量下,使用不同射频溅射功率在Si（100）衬底上分别沉积Ca薄膜;随后,800℃真空退火1 h.立方相的Ca2......
随着我国经济社会的发展和工业化水平的不断提升,在工业发展的过程中高新技术、电子技术和信息技术的发展水平也在不断提升,其中半......
基于第一性原理的方法计算了B掺杂Ca2Si的电子结构,计算结果表明,B掺杂使晶胞体积减小,带隙变窄,导电类型为P型。......
基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,采用广义梯度近似（GGA）对掺K的立方相Ca2Si的电子结构和光学性能,包括能带结构、态密......
采用基于第一性原理的赝势平面波方法，对异质外廷关系为Ca2Si（001）／／Si（100），取向关系为Ca2Si[100]／／Si[110]立方相的ca2Si平衡体系下能带结......
采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质，其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电......
采用模守恒贋势和超软贋势两种方法分别计算立方晶系Ca_2Si的声子色散关系、声子态密度和热力学特性。运用线性响应方法和有限位移......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软贋势方法,分别计算了立方相Ca2Si及掺杂P、Al的电子结构和光学性质。结果表明：立方相C......
