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Freescale半导体公司的ITFET(Inverted T Channel-Field EffectTransistor)技术实现了在一个单一晶体管中结合了平面和垂直薄体结构,克服了垂直多栅晶体管所面临的许多设计和生产上的挑战,有望开创高性能、低功耗、小体积的新一代半导体器件.
突破现有CMOS工艺限制的晶体管技术
【摘 要】
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Freescale半导体公司的ITFET(Inverted T Channel-Field EffectTransistor)技术实现了在一个单一晶体管中结合了平面和垂直薄体结构,克服了垂直多栅晶体管所面临的许多设计和
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2006年3期
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