磁控溅射Cu膜之Cu／SiO2／Si结构的应力

来源 :华南理工大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：dracula1103

【摘要】

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采用红外光弹测量法测量用磁控溅射淀积在SiO2/Si晶片表面的Cu膜在Si衬底中引入的应力.结果表明:SiO2在Si衬底中引入张应力,而Cu在Si衬底中引入压应力.在Cu/SiO2/Si结构中,随

【作者】

：

陈先带张红赵寿南

【机构】

：

华南理工大学

【出处】

：

华南理工大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2002年5期

【关键词】

：

硅应力红外光弹铜膜磁控溅射 silicon stress infrared photoelasticity copper film sputte

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采用红外光弹测量法测量用磁控溅射淀积在SiO2/Si晶片表面的Cu膜在Si衬底中引入的应力.结果表明:SiO2在Si衬底中引入张应力,而Cu在Si衬底中引入压应力.在Cu/SiO2/Si结构中,随SiO2膜厚减小和Cu膜厚增大,Si衬底中张应力逐渐减小,最终转为压应力.同时比较、分析了理论估算值和实验结果的差异,预示和分析了Cu引线的可靠性.

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