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带隙基准源在各种芯片中应用广泛，很多电子系能的性能直接受基准源的影响。论文提出一种采用电阻修整的带隙基准源的设计方法，通过修整来调节基准源由于受工艺等因素影响而产生的偏差，仿真结果表明．在-50℃到130℃温度范围．基准源的电压偏差为2mV。
一种带隙基准源设计研究
【摘 要】
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带隙基准源在各种芯片中应用广泛，很多电子系能的性能直接受基准源的影响。论文提出一种采用电阻修整的带隙基准源的设计方法，通过修整来调节基准源由于受工艺等因素影响而产生
【机 构】
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北京航星机器制造公司,北方工业大学信息学院微电子系
【出 处】
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科技信息
【发表日期】
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2012年1期
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