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首先使用改良型Ge浓缩法制备了绝缘体上锗硅圆片，然后在超薄弛豫SiGe层上，利用超高真空化学气相沉积法外延了单晶硅薄膜，获得一系列不同厚度的6寸绝缘体上应变硅晶圆。结果表明应变硅薄膜完整、均匀、表面平整且晶体质量良好，获得样品中顶层硅最大应力值达2．22 GPa。应用临界厚度理论对样品厚度和应变值之间的关系进行了分析，发现本实验所得样品在超过临界厚度3倍之后会发生应变弛豫。