【摘 要】
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基于CSMC 0.18μm BCD工艺,在传统亚阈带隙基准（BGR）的基础上进行了改进,设计了一款新型亚阈BGR。利用BCD工艺中普通MOSFET和高压MOSFET的特性差异,使器件工作在亚阈状态,产生
【基金项目】
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江苏省教育厅资助项目(PPZY2015B190);江苏省教育厅“青蓝工程”科技创新团队资助项目(苏教师(2016)15号);江苏省教育厅“青蓝工程”优秀教学团队资助项目(苏教师(2019)3号)
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基于CSMC 0.18μm BCD工艺,在传统亚阈带隙基准（BGR）的基础上进行了改进,设计了一款新型亚阈BGR。利用BCD工艺中普通MOSFET和高压MOSFET的特性差异,使器件工作在亚阈状态,产生亚阈电流。通过特定设计使该电流对电源变化和工艺变化不敏感,在各个工艺角下均能稳定产生亚阈电流。再利用亚阈电流产生多级正温度系数（PTAT）电压,结合负温度系数（CTAT）电压加权后,获得零温度系数电压。该设计具有亚阈带隙的低功耗特性。经过多项目晶圆流片后,测试结果表明该芯片在室温下输出基准电压约为0.9 V,工作电流约为5μA,线性调整率为0.019%/V;在-40～125℃内,温度系数达到3.97×10-5/℃。芯片面积为94μm×85μm。
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