中频磁控溅射制备AIN薄膜

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【摘要】

：

设计了-套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置,并在Si(111)衬底上沉积AIN薄膜.用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AIN薄膜的结构、形貌和成分.在优化的实验条件下制备

【作者】

：

任克飞阴明利邹长伟付德君

【机构】

：

武汉大学加速器实验室

【出处】

：

核技术

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

中频磁控溅射 AIN 阳极层离子源

【基金项目】

：

国家自然科学基金;

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设计了-套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置,并在Si(111)衬底上沉积AIN薄膜.用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AIN薄膜的结构、形貌和成分.在优化的实验条件下制备的AIN薄膜具有较强的(002)衍射峰,其半高宽为612-648弧秒.气体流量、衬底偏压、离子源等对薄膜结构有明显影响.

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