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采用透射电镜等试验方法，观察了两种温度１３８０℃及１３１０℃铸坯加热处理的高磁感取向硅钢（Ｈｉ－Ｂ钢）中抑制剂质点（硫化物＋ＡｌＮ）的析出形态，证实较低温度（１３１０℃）处理时......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究并开发了一种适合于AIN陶瓷注射成形的蜡基多聚合物粘结剂.通过理论计算分析了所用粘结剂组元的热力学相容性,利用毛细管流变......
以铝粉和氟化铵为原料,按质量比4:1进行混合,加入1wt%Y2O3添加剂,在小于2.5Mpa的氮气气氛条件下进行了AlN粉体的自蔓延燃烧合成,讨......
Mullitization of Andalusite and Influence of Aggregates on Properties of Aluminosilicate Refractorie
The mullitization of andalusite from Xinjiang,Chi-na and influence of aggregates on properties of alumino-silicate refra......
采用粉末注射成形方法制备了具有高导热性能的AIN陶瓷导热材料,研究了烧结温度对注射成形AIN陶瓷致密化的影响,及不同Y2O3含量对注......
在3.2mm厚的低铁玻璃衬底上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体N2的混合气体中,真空磁控反应溅射沉积半透明的Al-AlN金属陶瓷薄膜......
本文简要介绍了AIN的性质并总结AIN薄膜作为发光材料的研究现状,以及探讨AIN薄膜的不同掺杂元素的发光机理,最后就AIN薄膜作为优异......
设计了-套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置,并在Si(111)衬底上沉积AIN薄膜.用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AIN薄膜......
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的α面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所......
采用密度泛函理论(density functional theory)和Gaussian03程序包研究AIN MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)的生......
提升半导体激光器的腔面抗光学灾变(COD)损伤的能力,改善半导体激光器的工作特性,一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点。......
采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AIN薄膜．在分析Berg迟滞模型的基础上，提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压......
艾茵费达位于杰贝．哈费特山脚旁边，周围是艾茵市宁静的自然景观，是一处给人们保持身心健康和心境平和的地方。在那里，大自然和艾茵市的......
采用无压烧结(2050℃、Ar气氛)制备SiC-AlN复相陶瓷,利用XRD、SEM、EDAX等分析了AlN含量对复相陶瓷的致密程度、物相组成、微观形......
目的：研究次致死量X线照射对阿霉素肾病(AIN)大鼠抗氧化功能的影响。方法：将实验大鼠分为4组，即正常组(C)、阿霉素组(ADR)、次致死量X......
17型车钩在使用过程中尾部发生断裂。采用扫描电镜和能谱分析等方法对试样进行理化检验分析。结果表明：引起车钩断裂的主要原因是材......
采用基于密度泛函理论的广义梯度近似详细计算了Pd掺杂铅锌矿A1N的电磁性质，包括形成能、晶格常数、能带结构、态密度、铁磁与反铁......
BOUKHDEMA、KEF SEMMAH、AIN SEDJERA矿床隶属Guergour成矿带,BOUKHDEMA矿床成矿要素主要有两点：一是侏罗系白云岩,二是断裂构造;KE......
应用真空离子氮化工艺对LF21（3A21）铝合金管进行氮化处理,铝管表面可生成一层成分梯度变化的、具有太阳能吸收功能的氮化铝（AlN）涂层。......
在全球化制造业的大格局下．成本越来越成为人们关注的话题．企业已经通过实施ERP系统以及改善后台流程等方式．着手降低供应链、库存以......
采用磁控溅射技术在Si（Ⅲ）衬底上沉积了Al膜，在高温炉中使之与氨气反应制备／AIN薄膜．利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等研究......
研究了薄板坯连铸连轧工艺的铸坯凝固组织特征和钢带的组织演变规律.通过化学相分析、微观组织分析研究发现,微细AlN粒子在薄板坯......
采用脉冲激光沉积法以AlN为缓冲层在Si（100）衬底上制备了ZnO薄膜，并测量了样品的XRD谱、SEM图和PL谱．结果表明，AlN缓冲层可以提高Si衬底......
以CaO—B2O3-ZnO—SiO2（CBZS）玻璃粉以及A1N粉体为原料，采用常压烧结法制备了CBZS／AIN玻璃一陶瓷，研究了不同CBZS玻璃含量对复合材料烧......
研究了用反应磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜。由于铝和氮化铝二次电子发射系数有很大的不同,导致制备时会在金属模式和化合物模式......
从热力学角度分析并模拟了Mg蒸气在定向金属氮化法制备AIN材料中的相转变过程，证实了在高纯氮气气氛下Mg蒸气层的存在。按照气体扩......
主要讨论了铝基复合材料中常用的几种增强颗粒SiC、B4C、TiC、Al2O3、TiB2、AIN的特性及制备中可能与基体发生的界面反应和改善方......
采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄......
对影响AIN共烧多层基板平整性的几个因素进行了研究。取得了一定的成果。...
提出一种空心阴极放电等离子烧结方法，对该种工艺的加热功率特性和应用进行了试验研究。结果表明，放电加热功率的大小与空腔尺寸、放......
本文详细介绍了AlN-BN复合陶瓷材料制备工艺的研究状况,包括AlN、BN粉末的合成制备和AlN-BN复合材料的制备工艺,评述了各种方法和......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂；在高温GaN层中插入低温MN。低温MN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过......
<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布用于高功率表面贴装射频应用的新系列厚膜片式电阻——RCP系列。Vishay Dale RCP......
AlN陶瓷具有高的热导率、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗、无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性，在许多高技......
金刚石具有高红外透过率、低吸收系数、抗热冲击性好、耐磨擦等一系列优异的性能，是制造高速飞行器红外窗口和头罩的理想材料。然而......
ＭＣＭ的ＡＩＮ衬底直接铜焊接技术据日本《电子材料））１９９４年第７期报道，美国加州ＳａｎｔａＣｌａｒａ的ＩＸＹＳ公司成功地开发了用于ＭＣＭ的氮化铝（ＡＩＮ）衬底上直接进行铜焊接（ＤＣＢ）的技术。该公司过......
细化镁合金铸锭组织对提高镁及其合金综合性能具有重要的意义。在各种镁合金铸态组织细化方法中，在合金熔体中直接加入晶粒细化剂是......
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氮化铝（AlN）是近年来广受人们重视的宽禁带半导体材料。它具有许多特殊的物理性能，因此，在许多方面已得到广泛应用或具有潜在的应用前......
半导体激光器因其体积小,稳定性好,亮度高等优点越来越被广泛的应用,但随着工业的发展和人们对高精尖技术的追求,人们对激光器的输......
利用模压法制备AlN/聚乙烯复合基板.研究了AlN的添加量和形态对复合基板的介电性能的影响,结果表明,随AlN含量的增加,介电常数及介......
