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采用脉冲激光沉积方法（PLD）制备了Au/PZT/BIT/p-Si多层结构铁电存储二极管.对铁电存储二极管的P-E电滞回线、I-V特性曲线分别进行了测试与分析，并对其导电行为及基于I-V特性回滞现象的存储机理进行了讨论.实验表明，所制备的多层铁电薄膜具有较高的剩余极化（27μC/cm2）和较低的矫顽场（48kV/cm），BIT铁电层有助于缓解PZT与Si衬底之间的界面反应和互扩散，减少界面态，与Au/PZT/p-Si结构相比，漏电流密度降低近两个数量级，I-V特性曲线回滞窗口明显增大.