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AlN是一种宽带隙半导体，它具有高温稳定性、高热导率、高弹性模量、非毒性，并且具有能从半导体到绝缘体的性质变化等优异的物理性质。本文主要介绍了AlN薄膜的制备方法和应用，也给出了今后有待进一步解决的问题。
宽带隙半导体AlN薄膜的制备及应用
【摘 要】
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AlN是一种宽带隙半导体，它具有高温稳定性、高热导率、高弹性模量、非毒性，并且具有能从半导体到绝缘体的性质变化等优异的物理性质。本文主要介绍了AlN薄膜的制备方法和应用，也
【机 构】
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重庆大学应用物理系,
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2004年期
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