掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应

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报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温(5—10 K)条件下的各种光学性质.磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.对于空间间接光致发光(spaciallyindirect PL)光谱,它的主发光峰显示了一个反玻尔兹曼分布的非对称性,并且在磁场中(Voigt配置)它的峰值能量随磁场的增加而降低.这些实验结果显示了该掺杂样品的空间间接PL是来自Ⅱ型QW结构所特有的带电激子的跃迁. Reported various optical properties of n-type doped ZnSe / BeTe / ZnSe type II quantum wells at very low temperatures (5-10 K). The reflection spectra of ZnSe layers in a magnetic field (Farada configuration) The transition characteristic of a typical negative charged exciton (X-). For the spatially indirect PL spectroscopy, its dominant emission peak shows the asymmetry of a inverse Boltzmann distribution, and in the magnetic field (Voigt configuration), its peak energy decreases with the increase of magnetic field.These experimental results show that the spatially PL of the doped sample is due to the charged exciton transition characteristic of the type Ⅱ QW structure.
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