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采用边界元法分析了不同尺寸的良导体受试设备(Equipment Under Test,EUT)对TEM传输室特性阻抗和场分布的影响,并估算了敏感度测试中EUT所承受暴露场强的大小.计算结果表明:与空载时相比当EUT满足"1/3准则"时,TEM传输室的特性阻抗下降值小于2Ω,EUT上、下方场强增加3~4dB,EUT上部所承受暴露场强比通常的估算方法高约4~6dB.测量结果与计算结果基本一致.