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理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模，证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支，而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从2．6％到9％的GaMnAs合金的拉曼光谱。利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合，得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度。