【摘 要】
：
为了研究SiC/SiO2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在60
论文部分内容阅读
为了研究SiC/SiO2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明：微结构分析所得的微米量级的横向表面粗糙度（峰对峰,谷对谷）不会影响电子平均自由程为纳米数量级的沟道电子在SiC MOS器件沟道中的迁移运动,在高温退火过程中,碳膜的是否存在对表面粗糙度和NMOS电容SiC/SiO2界面态密度没有影响,而且NMOSFET器件的场效应迁移率没有发生太大的变化
其他文献
为了控制煤化学链燃烧中多环芳烃（PAHs）的生成,改善载氧体在多次循环后的碳沉积现象,以TiO2为惰性组分,采用机械混合法制备铜基载氧体（CuO/TiO2）,研究该载氧体在模拟化学链燃烧燃
目的探索无偿献血者血液筛检策略。寻找最小试剂成本的最佳筛检方案。方法采用临床经济学最小成本分析方法。从11个筛检试验不同的排列组合所形成的3991．68万个不同的筛检方案
为了有效利用机械手关节自由度,提出机械手的姿态定向控制方法,即保持机械手末端朝向,而允许工具绕某一朝向轴的旋转自运动.四元数法在姿态控制上不存在奇异点,因而采用四元
采用电化学粗糙法对铂电极基体表面进行粗糙化处理,研究基体粗糙度对沉积在电极表面的聚苯胺涂层的电化学特性和稳定性的影响.结果表明：采用电化学粗糙法能够显著增加电极的表
通过分析制造标准差和测量系统标准差及其比值这3个指标在不同情况的接受准则,构建综合评价体系区间分布图.根据测量数据在区间分布图的区域分布,分析制造系统过程能力、测量
为了研究臭氧氧化多种污染物协同脱除技术在实际工业应用中脱硝效率的影响因素,在杭州某橡胶厂中一台尾部烟道进行臭氧氧化多种污染物协同脱除改造后的烟气量为60 000 m^3/ h
针对火灾下结构温度场的反演问题,提出基于火灾后结构残余位移的温度场逆向推定方法,以有限元位移解与实测位移的差值为优化目标函数,选取合适的权函数构造火灾后的结构温度
红细胞ABO血型以外不规则抗体是引起输血不良反应、新生儿溶血病、血型鉴定困难以及疑难配型等的主要原因之一，对受血者的血清和血浆，应作常规的抗体筛选试验，以发现有临床意义
采用动网格技术,对恒壁温边界下,竖直上升毛细管（管径为1 m m ）内充分发展状态的气-液Taylor流动进行数值研究,分析入口雷诺数、气泡体积分数对Taylor流动的换热阻力特性的影响
基于对新建立的6自由度非线性转向模型的研究,提出采用传递函数代替原转向模型的方法,提出求解传递函数的新方法.利用改进的模拟退火算法求解传递函数,采用不同的插值法建立