双极大规模集成电路动态

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最近,美刊《Electronics》1975年V01.48,No.14报导了美国四个最大的双极集成电路厂家以及几个比较小的厂家的情况。Texas在I~2L(集成注入逻辑)和快速Schottky T~2L(晶体管-晶体管逻辑)方面较积极,其目的是企图超过MOS电路能力。Texas公司第一个声称作出I~2L微处理器,现已发展了第二、第三代的I~2L电路设计,据说它们的性能比原始4-位处理器片子要超过二倍以上。Texas的最新的I~2L工艺是采用不需Schottky器件的全离子注入的I~2L结构。结果,门的延迟在注入电流小于100微安条件下为10~20毫微秒,换算到4-位微处理器片子上,那么在每片功耗低于0.75瓦时,指令执行时间为100毫微秒。一个除了存贮器外,包括CPU(中心处理单元)、控制存贮器、输入/输出接口电路的16位微计算机片也可以片用 Recently, the U.S. publication “Electronics” 1975 V01.48, No.14 reported the four largest bipolar integrated circuit manufacturers in the United States and several smaller manufacturers. Texas is more aggressive in I ~ 2L (Integrated Injection Logic) and Fast Schottky T ~ 2L (Transistor-Transistor Logic), with the goal of attempting to surpass MOS circuit capabilities. The first company in Texas to make I ~ 2L microprocessors has now developed the second and third generation I ~ 2L circuit designs, which are said to outperform the original 4-bit processor chip by more than double. Texas’s latest I ~ 2L process uses an I ~ 2L structure that does not require full ion implantation of a Schottky device. As a result, the gate delay is 10-20 ns at an injection current of less than 100 microamps, converted to a 4-bit microprocessor chip, then the instruction execution time is 100 at a power consumption of less than 0.75 watts per chip Nanoseconds. In addition to a memory, a 16-bit microcomputer including a CPU (central processing unit), control memory, input / output interface circuit can also be used
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