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随着微电子技术的高速发展，尤其是微细加工技术的突破，器件按比例缩小至涤亚微米（0.25μm）以下时，传统体硅工艺已不适用了，而薄膜SOI器件因具有集成度高、工作速度快、抗辐照能力强以及工艺简便等优点而受到人们的青睐。本文主要介绍国外SOI薄膜材科的制备方法和研究动向以及国外薄膜SOI器件的研究现状及未来的发展方向。