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提出了部分局域电荷槽SOI（partial locating charge trench SOI，PTSOI）高压器件新结构．该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷，此电荷使埋氧层纵向电场从传统的3ESi,C升高到接近SiO2的临界击穿电场EsiO2，c；另外，硅窗口将耗尽层引入衬底，因而提高了器件的击穿电压．同时，硅窗口的存在大大缓解了自热效应．借助二维器件仿真研究了器件的击穿特性和热特性．结果表明，漂移区厚2μm，埋氧层厚1μm的PTSOI耐压可达700V以上；对埋氧层厚1μm和3μm的PTSOI，