【摘 要】
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我们建立了露点低达-85℃,氧含量低达0.2ppm的高纯氢制备装置。本文讨论了分子筛和催化剂的活化条件对所制的纯氢纯度的影响,同时还列举了氢气纯度对GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs MO
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我们建立了露点低达-85℃,氧含量低达0.2ppm的高纯氢制备装置。本文讨论了分子筛和催化剂的活化条件对所制的纯氢纯度的影响,同时还列举了氢气纯度对GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs MOCVD外延生长的影响。
We have established a high purity hydrogen production unit with dew point as low as -85 ° C and oxygen content as low as 0.2 ppm. The effects of the activation conditions of molecular sieves and catalysts on the purity of pure hydrogen were discussed. The effects of hydrogen purity on the epitaxial growth of GaAs and Ga_ (1-x) Al_xAs MOCVD were also discussed.
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