【摘 要】
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高耐压功率MOSFET F系列产品为使t_(rr)(内部二极管反向恢复时间)达到高速化,成功地在超结MOSFET的元件内部形成局部的陷阱能级,从而使得trr从160ns缩短为70ns,也就是比普通
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高耐压功率MOSFET F系列产品为使t_(rr)(内部二极管反向恢复时间)达到高速化,成功地在超结MOSFET的元件内部形成局部的陷阱能级,从而使得trr从160ns缩短为70ns,也就是比普通
High-voltage power MOSFET F-Series F-series products have been successfully used to form local trap levels inside the elements of super-junction MOSFETs by speeding up t rr (internal diode reverse recovery time), thereby shortening trr from 160 ns to 70 ns , That is, more than normal
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